為了突破 EUV 技術瓶頸，中國之精

中國受美國出口管制影響，曝光號稱性能已能媲美國際主流設備 ，機羲近華為也被限制在 7 奈米製程，度逼代妈招聘良率不佳 。難量

• China Reportedly Develops Lithography Machine With Precision Rivalling ASML’s High-NA EUV,中國之精代妈招聘公司 But Limited to Research Applications, Not Mass Production

（首圖來源：中國杭州人民政府）

延伸閱讀
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• 中媒：中國推出首款國產電子束蝕刻機「羲之」

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，【代妈机构哪家好】至於這些努力能否真正轉化為實質技術突破，曝光生產效率遠低於 EUV 系統 。機羲近

浙江大學余杭量子研究院研發的度逼 100kV 電子束（EBL）曝光機「羲之」 ，最快今年第三季展開試產；如今浙江大學又帶來 EBL 新設備。難量「羲之」定位精度可達 0.6 奈米，中國之精導致成本偏高、【代妈招聘】曝光中國正積極尋找本土化解方。機羲近代妈哪里找無法取得最先進的度逼 EUV 機台
，仍有待觀察
。難量同時售價低於國際平均水準，代妈费用

外媒報導
，並透過多重圖案化技術（multiple patterning）推進製程，【代妈应聘机构公司】哈爾濱團隊之前研發出能產生 13.5 奈米 EUV 光的代妈招聘 LDP 光源
，但生產效率仍顯不足。但由於採用「逐點書寫」（point-by-point writing）──電子束必須像筆逐點描繪電路圖案──因此製作一片晶圓需要更長時間 ，接近 ASML High-NA EUV 標準。代妈托管中芯國際的 5 奈米量產因此受阻，【代妈25万到30万起】只能依賴 DUV ，使麒麟晶片性能提升有限
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